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NVTFS5116PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
10
1600
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
Q T
1200
1000
6
800
4
Q gs
Q gd
600
400
200
0
0
C rss
10
20
C oss
30
40
50
60
2
0
0
5
10
15
V DS = ? 48 V
I D = ? 7 A
T J = 25 ° C
20
25
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
V DD = ? 48 V
I D = ? 7 A
V GS = ? 4.5 V
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(off)
t d(on)
t f
t r
20
10
1.0
1
10
100
0
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
45
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
V GS = ? 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
10 ms
1 ms
30
I D = ? 30 A
15
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1 10
dc
100
0
25
50 75 100 125 150
175
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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